सिलिकॉन कार्बाइड SiC ही एक मिश्रित अर्धसंवाहक सामग्री आहे जी सिलिकॉन Si आणि कार्बन C पासून बनलेली असते, सामान्यतः 4H-SiC क्रिस्टल प्रकारात. त्याची इन्सुलेशन ब्रेकडाउन फील्ड स्ट्रेंथ Si च्या 10 पट आहे, एनर्जी गॅप Si च्या 3 पट आहे, औष्णिक चालकता Si च्या 3 पट आहे आणि संपृक्तता प्रवाह गती Si च्या 2 पट आहे. हे Si पेक्षा खूप उच्च पॉवर इलेक्ट्रॉनिक उपकरण सामग्री आहे.